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IXFN80N50Q3

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N通道HiPerFET MOSFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：

    0.055

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：

    80

  • Gate Charge (nC)：

    380

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)：

    0.18

  • Configuration：

    Single

  • Package Type：

    SOT-227

  • Power Dissipation (W)：

    694

  • Maximum Reverse Recovery (ns)：

    250

  • Sample Request：

    No

  • Check Stock：

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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