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IXFK80N20Q	文件：70.59 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurrentrated •Fastin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N20Q	文件：70.59 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurrentrated •Fastin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N20Q	文件：372.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK80N20	文件：324.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK80N20	文件：100.75 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastintrinsicrectifier	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR80N20Q	文件：39.06 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247,Q-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated LowQg,Highdv/dt Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT80N20Q	文件：70.59 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurrentrated •Fastin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH80N20L	文件：383.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH80N20L	文件：131.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT80N20L	文件：131.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SFF80N20	文件：188.17 Kbytes Page：3 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF80N20MDBS	文件：188.17 Kbytes Page：3 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF80N20MDBTX	文件：188.17 Kbytes Page：3 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
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SFF80N20MUBS	文件：188.17 Kbytes Page：3 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
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详细参数

型号：
IXFK80N20Q
功能描述：
MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXFK80N20Q供应商更新时间2024-5-16 17:16:00

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