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IXFK80N20Q中文资料PDF规格书
IXFK80N20Q规格书详情
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg
Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXFK80N20Q
- 功能描述：
MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO264 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-264 |
18000 |
询价 | |||
IXYS |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO264 |
1200 |
特价库存 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-264 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
16+ |
SMD |
2875 |
只做进口原装现货!或订货!假一赔十! |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO2643 TO264AA |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXY |
06+ |
TO-3PL |
500 |
原装 |
询价 | ||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-264 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
16+ |
TO-3PL |
2100 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
询价 |
