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IXER35N120D1

NPT3 IGBT with Diode

Features •NPT3IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •HiPerFREDTMdiode -fastreverserecovery -lowoperatingforwardvol

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXER35N120D1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 50A 200W TO247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXER35N120D1_06

NPT3 IGBT with Diode in ISOPLUS247

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXER35N120D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    5.4mJ(开),2.6mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,35A,39 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 200W TO247

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更多IXER35N120D1供应商 更新时间2024-5-1 11:03:00