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IXER35N120D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXER35N120D1 |
| 参数属性 | IXER35N120D1 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247 |
| 功能描述 | NPT3 IGBT with Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
52.7 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | IXYS Corporation |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-29 23:00:00 |
| 人工找货 | IXER35N120D1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXER35N120D1规格书详情
IXER35N120D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXER35N120D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Features
• NPT3 IGBT
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance in resonant circuits
• HiPerFREDTM diode
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
• ISOPLUS 247TM package
- isolated back surface
- low coupling capacity between pins
and heatsink
- high reliability
- industry standard outline
Applications
• single switches
• choppers with complementary free
wheeling diodes
• phaselegs, H bridges, three phase
bridges e.g. for
- power supplies, UPS
- AC, DC and SR drives
- induction heating
产品属性
更多- 产品编号：
IXER35N120D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，35A
- 开关能量：
5.4mJ（开），2.6mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
600V，35A，39 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
ISOPLUS247™
- 描述：
IGBT 1200V 50A 200W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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