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K430	文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K430S	文件：1.00815 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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KA-430	文件：451.26 Kbytes Page：6 Pages	HIGHPOWEREDTVSCOMPONENT	PROTEC Protek Devices	PROTEC
KA-430	文件：354.04 Kbytes Page：3 Pages	RadialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS)	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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KA-430	文件：1.20681 Mbytes Page：4 Pages	RadialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS)	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
KA-430	文件：2.28043 Mbytes Page：4 Pages	3KARadialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS) Features Axialleadterminals Highcurrenttransientsuppressor ExcellentClampingCapability GlassPassivatedJunction Bi-directional LowSlopeResistance RepetitionRate(dutycycle):0.01 HazardousSubstancesFree RoHSCompliant HighTemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
KB-430	文件：451.26 Kbytes Page：6 Pages	HIGHPOWEREDTVSCOMPONENT	PROTEC Protek Devices	PROTEC
KB-430	文件：355.98 Kbytes Page：3 Pages	RadialLeadTransientVoltageSuppressors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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产品属性

产品编号：
IXDN430MYI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
30A，30A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
18ns，16ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
供应商器件封装：
TO-263-5
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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