| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司4年
留言
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IXYSTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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IXYSTO-220 |
8866 |
24+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-220-3 |
9350 |
25+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-220 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
留言
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IXYSTO-220 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市星辰微电科技有限公司4年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYSTO220AB |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司5年
留言
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IXYSTO-220 |
326 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IXDP35N60B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXDP35N60B图片
IXDP35N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDP35N60B功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXDP35N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，35A
- 开关能量：
1.6mJ（开），800µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
300V，35A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
