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IXDN430MYI	文件：619.61 Kbytes Page：12 Pages	30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDN430MYI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDN430YI	文件：781.94 Kbytes Page：12 Pages	30AmpLow-SideUltrafastMOSFET/IGBTDriver GeneralDescription TheIXDN430/IXDI430/IXDD430/IXDS430arehighspeedhighcurrentgatedriversspecificallydesignedtodriveMOSFETsandIGBTstotheirminimumswitchingtimeandmaximumpracticalfrequencylimits.TheIXD_430cansourceandsink30Aofpeakcurrentwhileproducingvoltager	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXDS430	文件：781.94 Kbytes Page：12 Pages	30AmpLow-SideUltrafastMOSFET/IGBTDriver GeneralDescription TheIXDN430/IXDI430/IXDD430/IXDS430arehighspeedhighcurrentgatedriversspecificallydesignedtodriveMOSFETsandIGBTstotheirminimumswitchingtimeandmaximumpracticalfrequencylimits.TheIXD_430cansourceandsink30Aofpeakcurrentwhileproducingvoltager	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDS430	文件：619.61 Kbytes Page：12 Pages	30AmpLow-SideUltrafastMOSFET/IGBTDriver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDS430SI	文件：781.94 Kbytes Page：12 Pages	30AmpLow-SideUltrafastMOSFET/IGBTDriver GeneralDescription TheIXDN430/IXDI430/IXDD430/IXDS430arehighspeedhighcurrentgatedriversspecificallydesignedtodriveMOSFETsandIGBTstotheirminimumswitchingtimeandmaximumpracticalfrequencylimits.TheIXD_430cansourceandsink30Aofpeakcurrentwhileproducingvoltager	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDS430SI	文件：619.61 Kbytes Page：12 Pages	30AmpLow-SideUltrafastMOSFET/IGBTDriver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
J430	文件：512.2 Kbytes Page：4 Pages	PulseJackLowProfile1x2GigabitTab-Up	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
K430	文件：34.54 Kbytes Page：1 Pages	LOWLEVELZENERDIODESVERYLOWVOLTAGE,LOWLEAKAGE LOWLEVELZENERDIODESVERYLOWVOLTAGE,LOWLEAKAGE ·Conservesbatterylife ·Uniquemanufacturingprocess ·Provideslowestreverseleakagecurrents ·Lowimpedanceatcurrentsspecifiedat10mAandbelow	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX

产品属性

产品编号：
IXDN430MYI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
30A，30A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
18ns，16ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
供应商器件封装：
TO-263-5
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

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