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IXDN602SITR	文件：308.57 Kbytes Page：13 Pages	2A Peak Source/Sink Drive Current	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDN602SITR	文件：1.6 Mbytes Page：13 Pages	2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers	Clare Clare, Inc.	Clare
IXDN602SITR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	IXYS Integrated Circuits Division IXYS Integrated Circuits Division	IXYS Integrated Circuits Division
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产品属性

产品编号：
IXDN602SITR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
7.5ns，6.5ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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