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IXBX75N170A	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 高电压 • 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBX75N170A	文件：199.69 Kbytes Page：6 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • International Standard Packages • High Blocking Voltage • Fast Switching • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement • Intergrated Diode Can Be Used for Protection Applications • Switched-Mode and Reson 文件：199.69 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBX75N170A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBK75N170	文件：185.32 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • International Standard Packages • High Blocking Voltage • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement • Intergrated Diode Can Be Used for Protection Applications • Capacitor Discharge • AC Switches • Swi 文件：185.32 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBK75N170A	文件：199.69 Kbytes Page：6 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • International Standard Packages • High Blocking Voltage • Fast Switching • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement • Intergrated Diode Can Be Used for Protection Applications • Switched-Mode and Reson 文件：199.69 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBN75N170	文件：180.58 Kbytes Page：5 Pages	BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor 文件：180.58 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBX75N170A
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
6V @ 15V，42A
开关能量：
3.8mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/418ns
测试条件：
1360V，42A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247

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