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IXBK75N170分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBK75N170
厂商型号

IXBK75N170

参数属性

IXBK75N170 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1700V 200A 1040W TO264

功能描述

BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1700V 200A 1040W TO264

文件大小

185.32 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 10:54:00

IXBK75N170规格书详情

Features

• International Standard Packages

• High Blocking Voltage

• High Current Handling Capability

• Anti-Parallel Diode

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

• Intergrated Diode Can Be Used for Protection

Applications

• Capacitor Discharge

• AC Switches

• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• UPS

• AC Motor Drives

IXBK75N170属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBK75N170晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXBK75N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,75A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 1700V 200A 1040W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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