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IXBH24N170	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 高电压 • 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBH24N170	文件：181.17 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Capacitor Disch 文件：181.17 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBH24N170	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1700V 60A 250W TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBT24N170	文件：181.17 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications ● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Generators ● Capacitor Disch 文件：181.17 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH24N170	文件：99.44 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT 文件：99.44 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH24N170A	文件：230.26 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBTs 文件：230.26 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBH24N170
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，24A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1700V 60A 250W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXBH24N170	IXYS	24+	TO-247	8866		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXBH24N170	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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