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IXBT24N170分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBT24N170
厂商型号

IXBT24N170

参数属性

IXBT24N170 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1700V 60A 250W TO268

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1700V 60A 250W TO268

文件大小

181.17 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 10:33:00

IXBT24N170规格书详情

Features

● High Blocking Voltage

● International Standard Packages

● Low Conduction Losses

Advantages

● Low Gate Drive Requirement

● High Power Density

Applications

● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● Laser Generators

● Capacitor Discharge Circuits

● AC Switches

IXBT24N170属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBT24N170晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXBT24N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,24A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1700V 60A 250W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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