| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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Littelfuse/力特艾赛斯标准封装 |
3088 |
26+ |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS24 |
5000 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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5年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
25+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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5年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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6年
留言
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IXYSTO-247 |
96 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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12年
留言
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IXYSTO-247-3 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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7年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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IXYSTO-247 |
96 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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IXYS/艾赛斯22+ |
6000 |
ISOPLUS247 |
十年配单,只做原装 |
IXBR42N170采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXBR42N170图片
IXBR42N170中文资料Alldatasheet PDF
更多IXBR42N170功能描述:MOSFET 57Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXBR42N170
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
BIMOSFET™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.9V @ 15V,42A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
ISOPLUS247™
- 描述:
IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247















