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IXBR42N170分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXBR42N170 |
| 参数属性 | IXBR42N170 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247 |
| 功能描述 | High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
| 文件大小 |
175.74 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-14 18:00:00 |
IXBR42N170规格书详情
Features
● Silicon chip on Direct-Copper Bond (DCB) substrate
● Isolated mounting surface
● 2500V electrical isolation
Advantages
● Low gate drive requirement
● High power density
Applications:
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Laser generator
● Capacitor discharge circuit
● AC switches
IXBR42N170属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBR42N170晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXBR42N170
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
BIMOSFET™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，42A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
ISOPLUS247™
- 描述：
IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS |
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IXYS |
22+ |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
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IXYS |
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08+(pbfree) |
TO-268 |
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