ITS9230__WAF中文资料下载供应代理第2页-114ic电子网

首页 >ITS9230 WAF>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
FSS9230D	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSS9230R	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GFC9230	文件：117.76 Kbytes Page：1 Pages	PChannelPowerMOSFET	GSGGunter Seniconductor GmbH. Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
IRF9230	文件：22.19 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9230	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5Aand-6.5A,-150Vand-200V,0.8and1.2Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description ThesedevicesareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedfor	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF9230	文件：149.8 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-6.5A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9230	文件：203.34 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) BVDSS-200V RDS(on)0.80Ω ID-4.0A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedt	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE9230	文件：16.88 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET VDSS-200V ID(cont)-3.6A RDS(on)0.825Ω FEATURES •SURFACEMOUNT •SMALLFOOTPRINT •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •AVALANCHEENERGYRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •LIGHTWEIGHT	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9230	文件：205.56 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF9230	文件：16.69 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9230	文件：328.01 Kbytes Page：7 Pages	-4.0A,-200V,0.800Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8Ω,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

<<<123 4 >>>

详细参数

型号：
ITS9230 WAF
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	ITS9261/7170	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	ITS9262	INTERSIL	89+	DIP	658	特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	ITS9262	进口原装	23+	DIP24	1011	全新原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	ITS9262	HARRIS	23+	NA	281	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市能元时代电子有限公司	ITS9262	INTERSIL	23+	DIP	51180	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市星佑电子有限公司	ITS9267	HARRIS	05+	原厂原装	5066	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	ITS9267	INTERSIL	22+	SMD24	1038	⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	ITS9267		22+	SOP	3200	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
深圳市杰顺创科技有限公司	ITS9267	INTERSIL	21+	00+	2520	原装现货库存	询价
深圳市广弘电子有限公司	ITS9267	HARRIS/哈里斯	2021	SOP24	1000	13632880263	询价

更多ITS9230 WAF供应商更新时间2024-6-3 15:36:00

详细参数

相关规格书

相关库存