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ITD03N50R

HVMOS

IPS

华润芯

NDD03N50Z

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 

文件:124.45 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD03N50Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:299.1 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDD03N50Z

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.0755 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • VDS (min)(V):

    500

  • ID(A):

    3

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    2.5

  • RDS(on)(max)(@10V):

    3

  • Qg(typ)(nC):

    8.8

  • Ciss(typ)(pF):

    350

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IPS
1716+
TO-252
8500
只做原装进口,假一罚十
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IPS
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TO-252
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IPS/华润芯功率
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IPS
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更多ITD03N50R供应商 更新时间2025-11-24 15:10:00