丝印：670P06NA；Package：PG-SOT223-4；MOSFET OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V

Features • P-Channel • Very low on-resistance RDS(on) • Normal Level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.30626 Mbytes 页数：11 Pages

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采用 SOT-223 封装的 60 V P 沟道功率 MOSFET，适用于汽车应用

ISP670P06NMA 具有 0.167 Ohm 的低 RDS(on)，可轻松实现功率损耗管理，使其成为针对汽车应用的 SOT-223 封装中最佳的 MOSFET。P 沟道器件的主要优点是降低了设计复杂性。此外，这种 MOSFET 的雪崩耐受能力使其适用于高要求的应用。 • 汽车资质\n • 产品组合中最低的 RDS(on)\n • 支持多种应用程序\n • 坚固、可靠的性能;

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SOIC-8_150mil

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