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ISP670P06NMA中文资料采用 SOT-223 封装的 60 V P 沟道功率 MOSFET,适用于汽车应用数据手册Infineon规格书
ISP670P06NMA规格书详情
描述 Description
ISP670P06NMA 具有 0.167 Ohm 的低 RDS(on),可轻松实现功率损耗管理,使其成为针对汽车应用的 SOT-223 封装中最佳的 MOSFET。P 沟道器件的主要优点是降低了设计复杂性。此外,这种 MOSFET 的雪崩耐受能力使其适用于高要求的应用。
特性 Features
• 汽车资质
• 产品组合中最低的 RDS(on)
• 支持多种应用程序
• 坚固、可靠的性能
应用 Application
• 智能汽车解决方案
技术参数
- 制造商编号
:ISP670P06NMA
- 生产厂家
:Infineon
- IDpulsmax
:-25.6 A
- QG(typ @10V)
:-36 nC
- RDS (on)(@10V) max
:67 mΩ
- VDSmax
:-60 V
- VGS(th)
:-2.1 V to -4 V
- Package
:SOT-223
- Operating Temperature
:-55 °C to 150 °C
- Polarity
:P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2016+ |
SOP8 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
8-SOIC |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
询价 | ||
INFINEON |
10+ |
SOP8 |
900 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2021+ |
SOIC-8_150mil |
499 |
询价 | |||
INFINEON |
2025+ |
SOP-8 |
3645 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
SOP-8 |
4944 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
SOP8 |
7500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |


