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ISP670P06NMA中文资料采用 SOT-223 封装的 60 V P 沟道功率 MOSFET,适用于汽车应用数据手册Infineon规格书

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厂商型号

ISP670P06NMA

功能描述

采用 SOT-223 封装的 60 V P 沟道功率 MOSFET,适用于汽车应用

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2026-3-18 22:58:00

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ISP670P06NMA规格书详情

描述 Description

ISP670P06NMA 具有 0.167 Ohm 的低 RDS(on),可轻松实现功率损耗管理,使其成为针对汽车应用的 SOT-223 封装中最佳的 MOSFET。P 沟道器件的主要优点是降低了设计复杂性。此外,这种 MOSFET 的雪崩耐受能力使其适用于高要求的应用。

特性 Features

• 汽车资质

• 产品组合中最低的 RDS(on)

• 支持多种应用程序

• 坚固、可靠的性能

应用 Application

• 智能汽车解决方案

技术参数

  • 制造商编号

    :ISP670P06NMA

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :-25.6 A

  • QG(typ @10V)

    :-36 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :67 mΩ

  • VDSmax

    :-60 V

  • VGS(th)

    :-2.1 V to -4 V

  • Package

    :SOT-223

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :P

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