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ISP20EP10LM	文件：1.78341 Mbytes Page：11 Pages	丝印：20EP10LM；Package：PG-SOT223-4；OpriMOS power-Transistor,-100V Features P-channel Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V Enhancement mode 100 avalanche tested Logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.78341 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
ISP20EP10LM	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V，采用 SOT-223 封装 OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。 • 高和低开关频率\n• 雪崩强度\n• 标准尺寸表面贴装封装\n• 广泛的分销合作伙伴;	Infineon 英飞凌	Infineon
ISP2532	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA钢面	QLOGIC 上传：深圳市星佑电子有限公司	QLOGIC
ISP452HUMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	Infineon 英飞凌上传：深圳市科芯源微电子有限公司	Infineon
ISP742RI	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8_150mil	Infineon/英飞凌上传：深圳市斌能达电子科技有限公司	Infineon/英飞凌

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更多ISP20EP10LM供应商更新时间2025-12-1 9:03:00