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ISP20EP10LM数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

ISP20EP10LM

功能描述

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V,采用 SOT-223 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-17 13:01:00

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ISP20EP10LM规格书详情

描述 Description

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 SOT-223 封装,适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用,可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平,具有较宽的 RDS(on) 范围,并可提高低负载下的效率。

特性 Features

• 高和低开关频率
• 雪崩强度
• 标准尺寸表面贴装封装
• 广泛的分销合作伙伴

应用 Application

• 不间断电源 (UPS)

技术参数

  • 制造商编号

    :ISP20EP10LM

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID max

    :-0.99 A

  • IDpulsmax

    :-4 A

  • Ptotmax

    :4.2 W

  • QG(typ @10V)

    :-3.5 nC

  • QG

    :-3.5 nC

  • QG(typ @4.5V)

    :-1.8 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :2000 mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :2200 mΩ

  • VDSmax

    :-100 V

  • VGS(th)

    :-1.5 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :SOT-223

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Pin Count

    :4 Pins

  • Polarity

    :P

  • Budgetary Price €/1k

    :0.1

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