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ISO5851-Q1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

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ISO5851QDWQ1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

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ISO5851QDWRQ1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

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ISO5851-Q1

Automotive 5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver with active protection features

ISO5851-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT • 适用于汽车电子 标准\n• 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围 \n• 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6\n• 在 VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs\n• 短暂传播延迟:76ns(典型值),110ns(最大值)\n• 输出短路钳位\n• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)\n• 3V 至 5.5V 输入电源电压\n• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入\n• 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK”\n• 符合 DIN V VDE V 0884-10 (;

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ISO5851EVM

包装:盒 功能:栅极驱动器 类别:开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件 描述:EVAL BOARD FOR ISO5851

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技术参数

  • Isolation rating (Vrms):

    5700

  • Power switch:

    IGBT

  • Peak output current (A):

    5

  • DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk):

    8000

  • DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk):

    2121

  • Output VCC/VDD (Max) (V):

    30

  • Output VCC/VDD (Min) (V):

    15

  • Input VCC (Min) (V):

    3

  • Input VCC (Max) (V):

    5.5

  • Prop delay (ns):

    76

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Undervoltage lockout (Typ):

    12

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更多ISO5851供应商 更新时间2026-1-17 14:03:00