ISO5451-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Active Protection Features

1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results: – Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range – Device HBM Classification Level 3A – Device CDM Classification Level C6 • 50-kV/μs Minimum and 100-kV/μs

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High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

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Automotive 5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver with active protection features

ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT • 适用于汽车电子 应用 \n• 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围 \n• 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6\n• 在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 50kV/μs，典型值为 100kV/μs\n• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）\n• 输出短路钳位\n• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)\n• 3V 至 5.5V 输入电源电压\n• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入\n• 可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK \n• 符合 DIN V V;

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