ISO5451-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存，可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。 如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。 栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。 ISO5451-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。

特性 Features

• 适用于汽车电子 应用
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
• 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
• 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
• 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6

• 在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 50kV/μs，典型值为 100kV/μs
• 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 3V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK
• 安全及管理认证：
• 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 1420 VPK VIORM 增强型隔离
• 符合 UL 1577 且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
• CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
• 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
• GB4943.1-2011 CQC 认证
• 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证

应用 Application

隔离式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动器：混合动力汽车(HEV)和电动车(EV)电源模块
工业电机控制驱动
工业电源
太阳能逆变器
感应加热