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ISO5452-Q1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.67789 Mbytes 页数:41 Pages

TI

德州仪器

ISO5452QDWQ1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.67789 Mbytes 页数:41 Pages

TI

德州仪器

ISO5452QDWRQ1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.67789 Mbytes 页数:41 Pages

TI

德州仪器

ISO5500

2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.30842 Mbytes 页数:40 Pages

TI

德州仪器

ISO5500

ISO5500EVM

文件:332.01 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

ISO5500_15

ISO5500 2.5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.47504 Mbytes 页数:43 Pages

TI

德州仪器

ISO5500DW

2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.30842 Mbytes 页数:40 Pages

TI

德州仪器

ISO5500DWR

2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

文件:1.30842 Mbytes 页数:40 Pages

TI

德州仪器

ISO5500EVM

ISO5500EVM

文件:332.01 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

ISO5851

High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Active Safety Features

文件:1.75737 Mbytes 页数:34 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • Isolation rating (Vrms):

    5700

  • Power switch:

    IGBT

  • Peak output current (A):

    5

  • DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk):

    8000

  • DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk):

    1420

  • Output VCC/VDD (Max) (V):

    30

  • Output VCC/VDD (Min) (V):

    15

  • Input VCC (Min) (V):

    3

  • Input VCC (Max) (V):

    5.5

  • Prop delay (ns):

    76

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Undervoltage lockout (Typ):

    12

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更多ISO5供应商 更新时间2026-10-14 8:11:00