丝印：16DP15LM；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM Power-Transistor, -150 V

Features • P-Channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • 100 avalanche tested • Logic Level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.24783 Mbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 150 V，SuperSO8 封装，针对电池管理、负载开关和反极性保护应用，降低中低功率应用的设计复杂性。具有易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度等特点，适合高质量要求的应用。具有较宽 RDS(on) 范围的逻辑电平，可提高低负载下的效率。 • 提供 6 种不同封装\n• 宽 RDS(on) 范围\n• 提供正常电平和逻辑电平\n• 针对各种应用进行了优化\n• 可从分销合作伙伴处获取;

Infineon

英飞凌

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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DIP28 |

ISD |

上传：深圳市卓越微芯电子有限公司

DIP

ISD

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