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ISC16DP15LM中文资料逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性数据手册Infineon规格书
ISC16DP15LM规格书详情
描述 Description
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 150 V,SuperSO8 封装,针对电池管理、负载开关和反极性保护应用,降低中低功率应用的设计复杂性。具有易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度等特点,适合高质量要求的应用。具有较宽 RDS(on) 范围的逻辑电平,可提高低负载下的效率。
特性 Features
• 提供 6 种不同封装
• 宽 RDS(on) 范围
• 提供正常电平和逻辑电平
• 针对各种应用进行了优化
• 可从分销合作伙伴处获取
技术参数
- 制造商编号
:ISC16DP15LM
- 生产厂家
:Infineon
- IDpulsmax
:-86.1 A
- Ptotmax
:188 W
- QG(typ @10V)
:-94 nC
- QG(typ @4.5V)
:-46 nC
- RDS (on)(@10V) max
:160 mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
:160 mΩ
- VDSmax
:-150 V
- VGS(th)
:-1 V to -2 V
- Package
:SuperSO8 5x6
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Polarity
:P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
12750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
1812 |
7350 |
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询价 | ||
Vishay |
99 |
4000 |
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CHINAXYJ |
23+ |
4532 |
9868 |
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N/A |
2450+ |
6540 |
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ISC/固电 |
23+ |
TO-3PN |
12000 |
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询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TDSON-8 |
9000 |
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询价 | ||
VISHAY |
05+ |
原厂原装 |
216216 |
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Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
SMD |
598000 |
原装现货假一赔十 |
询价 |