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ISC16DP15LM中文资料逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性数据手册Infineon规格书

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厂商型号

ISC16DP15LM

功能描述

逻辑级 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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ISC16DP15LM规格书详情

描述 Description

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 150 V,SuperSO8 封装,针对电池管理、负载开关和反极性保护应用,降低中低功率应用的设计复杂性。具有易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度等特点,适合高质量要求的应用。具有较宽 RDS(on) 范围的逻辑电平,可提高低负载下的效率。

特性 Features

• 提供 6 种不同封装
• 宽 RDS(on) 范围
• 提供正常电平和逻辑电平
• 针对各种应用进行了优化
• 可从分销合作伙伴处获取

技术参数

  • 制造商编号

    :ISC16DP15LM

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :-86.1 A

  • Ptotmax

    :188 W

  • QG(typ @10V)

    :-94 nC

  • QG(typ @4.5V)

    :-46 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :160 mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :160 mΩ

  • VDSmax

    :-150 V

  • VGS(th)

    :-1 V to -2 V

  • Package

    :SuperSO8 5x6

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :P

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