丝印：165N15N6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 • MSL 1 classified according to J‑STD‑020

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Infineon

英飞凌

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装

ISC165N15NM6 利用 OptiMOS ™ 6 150 V 无与伦比的性能和稳健性，成为传统 OptiMOS ™ 3 150 V 产品的合适替代品。OptiMOS ™ 6 150 V 技术旨在满足硬开关和软开关中高和低开关频率应用的要求。 • FOMg 比 OptiMOS ™ 5 低 20%\n • 150 V 下业界最低的 Qrr\n • 与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善\n • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内\n • 高雪崩强度\n • 最大 Tj 为 175°C;

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汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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DIP28 |

ISD |

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