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ISC165N15NM6

丝印:165N15N6;Package:PG-TDSON-8;MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 • MSL 1 classified according to J‑STD‑020

文件:1.43249 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

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更多165N15N6供应商 更新时间2025-8-12 17:18:00