丝印：151N20N6；Package：PG-TDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • MSL 1 classified acc

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OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装

ISC151N20NM6 OptiMOS ™ 6 200 V 正在制定新的技术标准。它满足了高功率密度、高效率和高可靠性的需求。OptiMOS ™ 6 200 V 技术旨在实现 LEV、叉车和无人机等电机驱动应用的最佳性能。由于业界领先的 RDS(on)、改进的开关行为和改进的电流共享，新的 OptiMOS ™ 6 可实现更高的功率密度、更少的并联和更好的 EMI 行为。改进的开关行为使其成为电信、服务器、太阳能或音频等任何类型的开关应用的理想选择。此外，宽 SOA 与业界领先的 RDS(on) 相结合，使其完美适合 BMS 等静态开关应用。 • RDS(on) 降低 42%\n• 出色的 EMI 和开关行为，原因在于：\n• QRR（典型值）降低 45%\n• QOSS（典型值）降低 42%\n• 二极管软化 3 倍以上\n• 电容线性度改善\n• 严格的 VGS(th) 和低跨导，易于并联\n• 改进的 SOA 可增强稳健性;

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汽车电子连接器

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