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151N20N6	文件：1.32928 Mbytes Page：11 Pages	型号：ISC151N20NM6；Package：PG-TDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •MSL1classifiedacc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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151N20N6

文件：1.32928 Mbytes

Page：11 Pages

型号：ISC151N20NM6；Package：PG-TDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •MSL1classifiedacc

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多151N20N6供应商更新时间2025-8-4 18:08:00

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