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IS64WV6416DBLL	文件：664.02 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV6416DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV6416DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：664.02 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL-10BLA3	文件：664.02 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV6416DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV6416DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：664.02 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL-10CTLA3	文件：664.02 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV6416DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV6416DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：664.02 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL/DBLS	文件：783.27 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：783.27 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLLSLASHDBLS	文件：783.27 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：783.27 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL-10CTLA3	文件：300 bytes Page：1 Pages	静态随机存取存储器 1Mb 64K x 16 10ns Async 静态随机存取存储器	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	静态随机存取存储器 1Mb 64K x 16 10ns Async 静态随机存取存储器	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV6416DBLL-10CTLA3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS64WV6416DBLL-10CTLA3-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS64WV6416DBLL
功能描述：
静态随机存取存储器 1Mb 64K x 16 10ns Async 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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