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IS65C51216AL-55MLA3

512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS62C51216AL and IS65C51216AL are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low

文件:469.1 Kbytes 页数:15 Pages

ISSI

矽成半导体

IS65WV12816BLL-55BLA3

ISSI(美国芯成)
TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65WV12816BLL-55TLA3-TR

ISSI(美国芯成)
TSOPII-44

ISSI(美国芯成)

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ISSI(美国芯成)

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

ISSI(美国芯成)
TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

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IS66WV51216EBLL-70BLI-TR

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详细参数

  • 型号:

    IS65C51216AL-55MLA3

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全称:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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更多IS65C51216AL-55MLA3供应商 更新时间2025-10-8 9:08:00