32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • Access time: 25 ns, 45 ns • Low active power: 200 mW (typical) • Low standby power — 150 μW (typical) CMOS standby — 15 mW (typical) operating • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compatible inputs and outputs • Single 5V power supply • Lead-free availa

文件：341.83 Kbytes 页数：12 Pages

ISSI

矽成半导体

32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件：92.59 Kbytes 页数：12 Pages

ISSI

矽成半导体

32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件：625.84 Kbytes 页数：12 Pages

ISSI

矽成半导体

Package：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc