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IS66WV51216BLL

8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM

文件:500.01 Kbytes 页数:16 Pages

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55BLI

8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM

文件:500.01 Kbytes 页数:16 Pages

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55TLI

8Mb LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM

文件:500.01 Kbytes 页数:16 Pages

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55BLI-TR

IC PSRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55TLI

IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55TLI-TR

IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

ISSI

矽成半导体

IS66WV51216BLL-55BLI-TR

Package:48-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC PSRAM 8MBIT PAR 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV51216BLL-55TLI

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WV51216BLL-55TLI-TR

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

技术参数

  • 存储器格式:

    PSRAM

  • 技术:

    PSRAM(伪 SRAM)

  • 存储容量:

    8Mb (512K x 16)

  • 写周期时间 - 字,页:

    55ns

  • 访问时间:

    55ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-迷你型BGA(6x8)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
2021+
TSOP-44
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更多IS66WV51216BLL供应商 更新时间2026-2-2 14:04:00