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IS65WV102416BLL	文件：444.61 Kbytes Page：17 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 25, 35 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CS1 and OE options • CS1 power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：444.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV102416BLL	文件：187.7 Kbytes Page：17 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：187.7 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS65WV102416BLL-25MLA3	文件：444.61 Kbytes Page：17 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 25, 35 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CS1 and OE options • CS1 power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：444.61 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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详细参数

型号：
IS65WV102416BLL
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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