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IS64WV51216BLL-10MA3-TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:48-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS64WV51216BLL-10MA3

512Kx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS64WV51216BLL-10MA3-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-迷你型BGA(9x11)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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更多IS64WV51216BLL-10MA3-TR供应商 更新时间2024-6-11 16:43:00