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IS65WV102416EALL	文件：1.0624 Mbytes Page：15 Pages	1Mx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating (typical): - 10.8mW (1.8V), 18mW (3.0V) – CMOS Standby (typical): - 48 μW (1.8V), 90 μW (3.0V)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—1.98V Vdd (62/65WV102416EALL) – 2.2V--3.6V Vd 文件：1.0624 Mbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV102416EALL	文件：1.05675 Mbytes Page：15 Pages	TTL compatible interface levels 文件：1.05675 Mbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV102416EALL-55BA3	文件：1.0624 Mbytes Page：15 Pages	1Mx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating (typical): - 10.8mW (1.8V), 18mW (3.0V) – CMOS Standby (typical): - 48 μW (1.8V), 90 μW (3.0V)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—1.98V Vdd (62/65WV102416EALL) – 2.2V--3.6V Vd 文件：1.0624 Mbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV102416EALL-55BLA3	文件：1.0624 Mbytes Page：15 Pages	1Mx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating (typical): - 10.8mW (1.8V), 18mW (3.0V) – CMOS Standby (typical): - 48 μW (1.8V), 90 μW (3.0V)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—1.98V Vdd (62/65WV102416EALL) – 2.2V--3.6V Vd 文件：1.0624 Mbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS65WV102416EALL	文件：300 bytes Page：1 Pages	PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI

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