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IS64C1024AL	文件：589.57 Kbytes Page：13 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 12, 15 ns • Low active power: 160 mW (typical) • Low standby power: 1000 μW (typical) CMOS standby • Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs for ease in applications • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compati 文件：589.57 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C1024AL-15TLA3	文件：589.57 Kbytes Page：13 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 12, 15 ns • Low active power: 160 mW (typical) • Low standby power: 1000 μW (typical) CMOS standby • Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs for ease in applications • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compati 文件：589.57 Kbytes 页数：13 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C25616AL	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C25616AL-12CTLA3	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C25616AS	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C25616AS-25TLA3	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C5128AL	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C5128AL-12CTLA3	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C6416AL	文件：369.43 Kbytes Page：14 Pages	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES IS61C6416AL and IS64C6416AL • High-speed access time: 12 ns, 15ns • Low Active Power: 175 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typical) CMOS standby IS62C6416AL and IS65C6416AL • High-speed access time: 35 ns, 45ns • Low Active Power: 50 mW (typical) • Low Standby Power: 100 μ 文件：369.43 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64C6416AL-15TLA3	文件：369.43 Kbytes Page：14 Pages	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES IS61C6416AL and IS64C6416AL • High-speed access time: 12 ns, 15ns • Low Active Power: 175 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typical) CMOS standby IS62C6416AL and IS65C6416AL • High-speed access time: 35 ns, 45ns • Low Active Power: 50 mW (typical) • Low Standby Power: 100 μ 文件：369.43 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

技术参数

Organization：
128Kx32
Product Type：
Flowthrough
VccQ：
2.5V
Speed (MHz)：
133117
tKQ(ns)：
6.5
Package Pins：
BGA(119)
Temperature Grade：
A3
Status：
Prod

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	IS64VF12832A-7.5TQLA3	ISSI	25+	QFP100	3850	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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