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IS61LV12824-10BL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS61LV12824-10BL
厂商型号

IS61LV12824-10BL

参数属性

IS61LV12824-10BL 封装/外壳为119-BGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封装外壳

119-BGA

文件大小

77.67 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
ISSI
数据手册

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更新时间

2025-8-5 13:20:00

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IS61LV12824-10BL规格书详情

DESCRIPTION

TheISSI IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10 ns

• CMOS low power operation

— 756 mW (max.) operating @ 8 ns

— 36 mW (max.) standby @ 8 ns

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array (PBGA) and 100-pin TQFP packages.

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61LV12824-10BL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    3Mb(128K x 24)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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