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IS61LV12824-10B集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61LV12824-10B |
| 参数属性 | IS61LV12824-10B 封装/外壳为119-BGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 封装外壳 | 119-BGA |
| 文件大小 |
77.67 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | IS61LV12824-10B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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DESCRIPTION
TheISSI IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
FEATURES
• High-speed access time: 8, 10 ns
• CMOS low power operation
— 756 mW (max.) operating @ 8 ns
— 36 mW (max.) standby @ 8 ns
• TTL compatible interface levels
• Single 3.3V power supply
• Fully static operation: no clock or refresh required
• Three state outputs
• Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array (PBGA) and 100-pin TQFP packages.
• Industrial temperature available
• Lead-free available
产品属性
- 产品编号：
IS61LV12824-10B
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
3Mb（128K x 24）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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