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IS61LV12816L-10LQI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61LV12816L-10LQI |
| 参数属性 | IS61LV12816L-10LQI 封装/外壳为44-LQFP；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44LQFP |
| 功能描述 | 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
| 封装外壳 | 44-LQFP |
| 文件大小 |
112.45 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | IS61LV12816L-10LQI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS61LV12816L-10LQI规格书详情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.
FEATURES
• High-speed access time: 8, 10 ns
• Operating Current: 50mA (typ.)
• Stand by Current: 700µA (typ.)
• TTL and CMOS compatible interface levels
• Single 3.3V power supply
• Fully static operation: no clock or refresh required
• Three state outputs
• Data control for upper and lower bytes
• Industrial temperature available
• Lead-free available
产品属性
- 产品编号：
IS61LV12816L-10LQI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
2Mb（128K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-LQFP
- 供应商器件封装：
44-LQFP（10x10）
- 描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44LQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
4122 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI |
05+ |
QFP44 |
862 |
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ISSI |
1815+ |
QFP44 |
6528 |
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ISSI |
25+ |
NA |
880000 |
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ISSI |
NA |
8560 |
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ISSI |
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44-LQFP(10x10) |
3200 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
TQFP |
12335 |
询价 | |||
ISSI |
2025+ |
TQFP |
3635 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ISSI |
6000 |
面议 |
19 |
TQFP |
询价 | ||
ISSI |
19+ |
QFP44 |
12600 |
询价 |
