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IS61LV12816L-10T集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS61LV12816L-10T
厂商型号

IS61LV12816L-10T

参数属性

IS61LV12816L-10T 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

112.45 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-7-31 23:01:00

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IS61LV12816L-10T规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10 ns

• Operating Current: 50mA (typ.)

• Stand by Current: 700µA (typ.)

• TTL and CMOS compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61LV12816L-10TI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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