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IS61C256	文件：319.55 Kbytes Page：6 Pages	WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS 文件：319.55 Kbytes 页数：6 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61C25616	文件：366.91 Kbytes Page：10 Pages	256K X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 5V SUPPLY 256K X 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 5V SUPPLY 文件：366.91 Kbytes 页数：10 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AL	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AL_V01	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AL-10KLI	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AL-10TL	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AL-10TLI	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AS	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C25616AS-25KLI	文件：224.07 Kbytes Page：16 Pages	256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t 文件：224.07 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS61C256
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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