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IS61C25616AL_V01

256K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C25616AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C25616AS) • High-speed access time: 25 ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (t

文件:224.07 Kbytes 页数:16 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C256AH-20J

PLCC-28

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

IS61C512-15TI

TSOP

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市赛芯源科技有限公司

IS61C64AL-10TLI-TR

TSOPI-28

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDB451236A-250M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS61C25616AL_V01供应商 更新时间2025-11-25 16:19:00