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IS45S16160G中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS45S16160G |
参数属性 | IS45S16160G 封装/外壳为54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
功能描述 | SDR SDRAM |
封装外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 16:20:00 |
人工找货 | IS45S16160G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IS45S16160G规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号:
IS45S16160G-6CTLA1-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
54-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IS45S16160G-7TLA1 |
227 |
227 |
询价 | ||||
ISSI |
23+ |
TSSOP |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
TSOP-54 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
TSOP |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ISSI |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ISSI |
23+ |
BGA |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
IC |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ISSI |
5 |
询价 | |||||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
54-TSOP II |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |