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IS43TR16640B中文资料1.5V DDR3 SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43TR16640B规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号：
IS43TR16640B-093NBL-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包装：
散装
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR3
- 存储容量：
1Gb（64M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度：
0°C ~ 95°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
96-TFBGA
- 供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
- 描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
4890 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ISSI |
2023+ |
BGA |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
TFBGA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
BGA96 |
7000 |
询价 | |||
INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
9999 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||||
ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
TFBGA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
96-TFBG |
9376 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ISSI |
25+23+ |
BGA |
72990 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 |
