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IS43TR16640B数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF
IS43TR16640B规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号:
IS43TR16640B-093NBL-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
散装
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
1Gb(64M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
96-TFBGA
- 供应商器件封装:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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