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IS43TR16128C数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
IS43TR16128C规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号：
IS43TR16128C-107MBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR3
- 存储容量：
2Gb（128M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
96-TFBGA
- 供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
- 描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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