IS43R16320E中文资料DDR SDRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号	IS43R16320E
参数属性	IS43R16320E 封装/外壳为60-TFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
功能描述	DDR SDRAM
封装外壳	60-TFBGA
制造商	ISSI Integrated Silicon Solution, Inc
中文名称	矽成半导体北京矽成半导体有限公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-24 19:40:00
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IS43R16320E规格书详情

描述 Description

·Single supply voltage of 2.5V or 2.6V
·Standard double-data rate clock timing
·SSTL_2 compatible inputs
·Four internal banks with bank controls
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 2, 4, or 8
·Programmable CAS Latency of 2, 2.5 or 3
·Auto-Refresh Mode and Self-Refresh Mode
·Long-Term Support

技术参数

产品编号：
IS43R16320E-5BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
存储容量：
512Mb（32M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-TFBGA
供应商器件封装：
60-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

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