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IS43LR32640A中文资料Mobile DDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43LR32640A规格书详情
描述 Description
·Double-data rate
·Four internal banks with bank controls
·Programmable Burst Length and CAS Latency
·Power Savings with:- Partial Array Self Refresh (PASR)- Temperature Compenstate Self Refresh- Selectable Output Driver Strength- Deep Power Down
·Long term support
技术参数
- 产品编号：
IS43LR32640A-5BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR
- 存储容量：
2Gb（64M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-LFBGA
- 供应商器件封装：
90-WBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
WBGA90(8x13) |
7350 |
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ISSI |
24+ |
BGA90 |
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2023+ |
BGA90 |
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ISSI |
2 |
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ISSI |
23+ |
BGA |
4500 |
ISSI存储芯片在售 |
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ISSI |
24+ |
BGA90 |
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